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BOITIER SECURITE INTRINSEQUE TOR 2ENTREES SI ET 2 SORTIES NSI
Prix sur consultation
Description
Caractéristiques principales :- Type de module : Module de traitement
- Profondeur : 90 mm
- Raccordement électrique : Bornier débrochable à vis
- Hauteur : 120 mm
- Marquage : II1 G/D-EEx ia IIC
- Emplacement de montage : À l'extérieur de la zone poussiéreuse
- Nombre d'entrées : 2
- Puissance consommée : 5 W
- Montage du produit : Sur rail DIN 35 mm
- Type de circuit d'alimentation : DC
- [us] tension d'alimentation : 24 V
- Largeur : 29.5 mm
Ancien produit : Telemecanique NY320N2RB1
Caractéristiques techniques
| Mode de pose | Autre |
| Largeur | 29,5 mm |
| Hauteur | 120 mm |
| Profondeur | 90 mm |
| Nombre de canaux | 4 |
| Puissance absorbée | 5 W |
| Type d'alimentation électrique | Actif |
| Adapté aux fonctions de sécurité | Oui |
| Température d'utilisation | 60 °C |
| Température d'utilisation | -20 °C |
| Finition du raccordement électrique | Raccordement à vis |
| Indice de protection (ip) | Autre |
| Nombre d'entrées selon namur | 2 |
| Tension d'alimentation assignée cc | 24 V |
| Tension d'alimentation assignée cc | 24 V |
| À sécurité intrinsèque selon en 60947-5-6 namur | Non |
| Séparation galvanique entre la sortie et la sortie | Oui |
| Séparation galvanique entre l'entrée et la sortie | Oui |
| Séparation galvanique entre les entrées | Oui |
| Séparation galvanique entre la tension d'alimentation et les autres circuits | Non |
| Type de boîtier | Autre |
| Niveau de performance selon en iso 13849-1 | Niveau a |
| Sortie de signalisation de défaut | Non |
| Sil conformément à iec 61508 | 1 |
| Nombre d'entrées, sans potentiel | 0 |
| Nombre de circuits de sortie de coupleur optoélectronique | 0 |
| Contact à fermeture du relais du circuit de sortie | 0 |
| Contact inverseur du relais du circuit de sortie | 0 |
| Nombre de circuits de sortie transistor ambivalent | 0 |
| Nombre de circuits de sortie transistor npn | 0 |
| Nombre de circuits de sortie transistor pnp | 0 |
| Nombre de circuits de sortie transistor sans potentiel | 0 |